1、硅在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电路产品。
2、晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。
3、二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%。
(相关资料图)
4、硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中。
5、硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型,将沙石原料放入一个温度约为2000 ℃,并且有碳源存在的电弧熔炉中,在高温下,碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应(碳与氧结合,剩下硅),得到纯度约为98%的纯硅。
6、扩展资料晶圆的初次氧化由热氧化法生成SiO2 缓冲层,用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术:干法氧化Si(固)+O2 à SiO2(固)和湿法氧化Si(固)+2H2O à SiO2(固)+2H2。
7、干法氧化通常用来形成,栅极二氧化硅膜,要求薄,界面能级和固定电荷密度低的薄膜。
8、干法氧化成膜速度慢于湿法。
9、湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。
10、当SiO2膜较薄时,膜厚与时间成正比。
11、SiO2膜变厚时,膜厚与时间的平方根成正比。
12、要形成较厚SiO2膜,需要较长的氧化时间。
13、SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。
14、参考资料来源:百度百科-晶圆。
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